عنوان
بررسي ويژگي‌هاي ساختاري، الكتروني و نوري تركيب هاي BexCd1-xS با استفاده از روش امواج تخت بهبود يافته خطي با پتانسيل كامل
نويسنده اصلي
كريمي دارابي ،الهه
محل تحصيل
دانشگاه ولي عصر(عج) رفسنجان
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
چكيده
نيمه‌هادي‌هاي II-VI با گاف انرژي بزرگ جزء تركيب¬هايي هستند كه داراي ويژگي‌هاي فيزيكي بسيار مناسب براي ساخت قطعات اپتوالكترونيكي هستند، كه تركيب¬هاي سه‌تايي BexCd1-xS يكي از مهم‌ترين آن‌ها است. لذا در اين پژوهش ويژگي‌هاي ساختاري، الكتروني و اپتيكي تركيب¬هاي سه‌تايي BexCd1-xS با مقادير (1 و 75/0 و 5/0 و 25/0 و 0= x) با استفاده از محاسبات روش امواج تخت به¬ساخته با پتانسيل كامل (FP-LAPW) در چارچوب نظريه‌ي تابعي چگالي محاسبه شده است. اثرهاي همبستگي- تبادلي از تقريب‌هاي شيب چگالي تعميم يافته (GGA) و موضعي (LDA) و تقريب‌هاي EVGGA و MBJGGA استفاده شده است. نتايج نشان مي‌دهد كه اين دسته از تركيب¬هاي همگي نيمرسانا هستند، كه تركيب BeS نيمرساناي با گاف غيرمستقيم با گاف نواري برابر ( eV138/3=Eg) و گاف مستقيم با گاف نواري برابر( eV593/5=Eg) و براي بقيه‌ي تركيب¬هاي سه‌تايي BexCd1-xS با مقادير (75/0 و 5/0و 25/0 و 0=x) نيمرساناي با گاف مستقيم با گاف نواري به ترتيب برابر eV (360/3و 418/2 و712/1 و 153/1) مي‌باشند. افزودن بريليم به تركيب CdS با غلظت‌هاي مختلف x با مقادير (1 و 75/0و 5/0و 25/0 و 0=x) باعث كاهش ثابت شبكه، كاهش ضريب شكست، كاهش تراكم‌پذيري، كاهش ضريب بازتاب، افزايش مدول حجمي، افزايش گاف نواري و افزايش گاف اپتيكي مي‌شود
شماره ركورد
51988
دانشگاه
دانشگاه وليعصر رفسنجان
رشته تحصيلي
فيزيك
استاد راهنما
جميله سيد يزدي -سيدمهدي بيضايي