بررسي اثر پارامترهاي سيستم بر روي پديده¬ي شفافيت القايي الكترومغناطيسي در يك سيستم چهار ترازي با استفاده از ميدان-هاي الكترومغناطيسي

اين پژوهش، يك سيستم چهار ترازي مدل كه تحت تابش دو ميدان كنترل و يك ميدان كاوشگر مي¬باشد، در نظر گرفته شده است. قسمت حقيقي و موهومي ضريب پذيرفتاري سيستم با استفاده از روش ماتريس چگالي در سه رهيافت نيمه¬كلاسيك، نيمه‎كوانتومي و كاملا كوانتومي محاسبه شده است. سپس تاثير پارامترهايي مانند دامنه¬ي ميدان¬هاي كنترل، تعداد فوتون‎ها¬، عدم تنظيمي و افزايش نرخ واهلش ترازها در سه رهيافت مورد بررسي قرار گرفت. نتايج نشان داد كه در رهيافت¬هاي كاملا كوانتومي و نيمه-كوانتومي با تعداد صفر فوتون¬ ميدان¬هاي كنترل، شفافيت به ازاي مقادير خاص دامنه¬ي ميدان الكتريكي ايجاد مي‎شود و با افزايش تعداد فوتون¬ ميدان¬هاي كنترل اين آستانه¬ي ايجاد شفافيت كاهش مي¬يابد. در رهيافت نيمه‎كلاسيك در عدم حضور ميدان‎هاي كنترل، هيچ شفافيتي مشاهده نشد و در حضور ميدان‎هاي كنترل، شفافيت به ازاي مقادير خاصي از دامنه¬ي ميدان‎الكتريكي، ايجاد شد. مشاهده شد با افزايش نرخ واهلش ترازها اثر شفافيت القايي الكترومغناطيسي در هر سه رهيافت كاملا از بين خواهد رفت و با افزايش تعداد فوتون¬ ميدان¬هاي كنترل، پهناي پنجره¬ي شفافيت در رهيافت¬هاي كاملا كوانتومي و نيمه¬كوانتومي افزايش مي¬يابد

51171

دانشگاه وليعصر رفسنجان

زهرا راكي

فيزيك

حسن رنجبر عسكري