عنوان
مطالعه ويژگي هاي الكتروني و فاز توپولوژي تركيب ها و تك‌لايه‌هايGaSوGaSe وGaTe
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
چكيده
محاسبات اين پايان‌نامه با استفاده از نظريه‌تابعي چگالي، با روش امواج تخت بهبود يافته انجام شده است. خواص ساختاري و الكترونيكي مانند ساختار نواري، چگالي حالتهاي الكتروني و ثابت‌هاي شبكه GaS، GaSe و GaTe در حالت انبوهه و تك لايه با استفاده از كد محاسباتي و با رهيافت PBE-GGA در حضور و غياب برهم‌كنش اسپين-مدار بررسي شده است. چگالي حالتهاي الكتروني ، ساختارهاي نواري و فاز توپولوژيكي GaS، GaSe و GaTe در حالت انبوهه با نتايج متناظر با تك لايه آنها مقايسه شده است. اين تركيبات در حالت انبوهه و تك لايه نيم رسانا با گاف انرژي متفاوت هستند. علاوه براين بررسي نظم نواري اين تركيبات نشان ميدهد كه اين تركيبات در حالت انبوهه و تك لايه نظم نواري معمولي دارند. بررسي تاثير فشار بر فاز توپولوژي اين تركيبات نشان ميدهد كه گذار فاز توپولوژي در آنها رخ نمي دهد.
شماره ركورد
231929
دانشگاه
دانشگاه اصفهان
استاد مشاور
امين الله واعظ
رشته تحصيلي
فيزيك - فيزيك ماده چگال
استاد راهنما
زهرا نوربخش حبيب آبادي