بررسي و شبيه سازي باند انرژي ابرشبكه GaAs/AlP به روش تنگبست تجربي (ٍٍٍٍٍٍٍETBM)

كارشناسي

افزاره‌هاي نيمه‌رسانا بعنوان معجزه‌گرهاي قرن بيست و يك تاكنون شگفتي‌هاي بسياري براي بشريت به ارمغان آورده‌اند و اين تنها بخش كوچكي از زحمات توسعه‌دهندگان فيزيك كوانتوم در قرن بيستم است كه بازتاب داده شده است. اين پايان‌نامه بعنوان قطره كوچكي از درياي تكنولوژي نيمه‌هادي، حاوي گزارشي از بررسي يك ابرشبكه از گروه 3-5 جدول تناوبي است. پژوهش انجام شده به بررسي و شبيه‌سازي باند انرژي ابرشبكه AlP/GaAs به روش تنگبست تجربي (ETBM) مي‌پردازد و اطلاعاتي را درباره اين ابرشبكه به منظور طراحي و مهندسي شكاف انرژي آن در اختيار مهندسان و محققان اين حوزه قرار مي‌دهد. اين اطلاعات شامل بررسي آرايش‌هاي رشد دو بعدي اين ابرشبكه، ثابت متوسط، عدم انطباق، انرژي باند ظرفيت و هدايت و شكاف انرژي در ضخامت‌هاي مختلف مواد اصلي و جايگشت‌هاي گوناگون مواد واسط (Interface) آن است. اين پژوهش با در نظر گرفتن دو زيرلايه GaAs D001 و GaP D001 كه مناسب‌ترين بالك‌هاي موجود در ميان زيرلايه‌ها هستند، پارامترهاي مختلف اين ابرشبكه را محاسبه كرده و در قالب نمودارهايي آن‌ها را تفسير مي‌كند. روش تنگبست بعنوان يك روش شبيه‌سازي كه اكنون به كمك الگوريتم ژنتيك بسيار سريع‌تر و دقيق‌تر از قبل مي‌تواند شكاف انرژي نيمه‌رسانا‌هاي مختلف را محاسبه كند براي اين تركيبات گروه 3-5 پياده‌سازي نشده بود و اين پايان‌نامه بعنوان يك گام براي شناختن هر چه بيشتر خواص تركيبات اين گروه محسوب مي‌گردد. در نهايت اين خروجي باعث طراحي هر چه بيشتر و با كيفيت‌تر ادوات نيمه‌رسانا كه كاربردهاي نوري و الكترونيكي فراواني دارند خواهد شد.

207395

دانشگاه علم و صنعت ايران

مهندسي برق - الكترونيك

دكتر وحيدرضا يزدان پناه