بررسي ،پياده سازي و بهبود شرط مرزي جانب MEI در روش FDTD

كارشناسي ارشد

در اين پايان نامه روش خودمترون ،به عنوان يك روش جديد ،براي به دست آودن ضرايب شرط مرزي جاذب MEI ارائه شده ،كه نسبت بهMEI قديمي ،از نظر سادگي به دست آمدن ضرايب و دقت شبيه سازي ،داراي برتري است .شرط مرزي جاذب MEI در حوزه ي زمان ،در لايه ي خارجي شبيه سازي ،اعمال شده است .اين شرط ،نسبت به شرايط مرزي ديگر ،داراي اين مزيت است كه چون يك شرط ميدان نزديك است ; با دقت خوب ،قابل اعمال در نزديكي شيء مي باشد ،كه اين باعث صرفه جويي فراواني در حجم حافظه و زمان اجراي شبيه سازي ،مي شود .ساختار خط مايكرو استريپ استوانه اي متقارن ،با روش FDTD ،و با اعمال شرط مرزي جاذب MEI خودمترون ،تحليل شده است .هندسه ي ساختار مورد نظر شامل چند خط انتقال نواري ،روي يك ساختار استوانه اي متقارن كه با چند لايه ي دي الكتريك همگن ،پر شده ،مي باشد .كه نسبت به ساختار خط مايكرو استريپ تخت ،از نظر تاثير پذيري MEI و نويز هم شنوايي ،داراي مزايايي مي باشد .

201199

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر احمد چلداوي