بررسي اثرات مهاجرت اتم ها به روش انرژي جنبشي ملكولي (model Kinetic) بر روي عملكرد ترانزيستورهاي HEMT با رويكرد تنگ بست

كارشناسي

يكي از مشكلاتي كه رشد ساختار هاي نيمه هادي با دستگاه MBE به همراه دارد پديده ي مهاجرت سطحي اتم هاي گروه V-III مي باشد كه به دليل تحرك الكترون ها در سطح رشد صورت مي گيرد. اين مهاجرت اتم ها باعث تغيير در توزيع نسبي اتم ها در لايه هاي مختلف رشد داده شده مي گردد كه باعث تفاوت در ساختار باند انرژي نيمه هادي و خواص كوانتومي آن نسبت به حالت بدون مهاجرت مي شود. پارامترهاي اپتوالكترونيك ماده، گاف انرژي آن، موبيليتي الكترون ها و حفرها در ادوات ترانزيستوري، از جمله اين خواص هستند كه نهايتا عملكرد كلي قطعه مورد نياز را تحت تاثير قرار مي دهند. لذا، براي طراحي و رشد تركيبات نيمه هادي V-III ،در نظر گرفتن پديده مهاجرت اتم ها و پيش بيني اثرات آن امري ضروري است. در اين پروژه، سعي بر آن است كه با پيش بيني صحيح توزيع اتم ها در لايه هاي رشد داده شده در يك ساختار ترانزيستور HEMT با استفاده از مدل انرژي جنبشي (model kinetic)، مشخصه I-V اين ترانزيستور محاسبه شده و با حالت بدون در نظر گرفتن مهاجرت اتم ها مقايسه شود.

196705

دانشگاه علم و صنعت ايران

مهندسي برق

دكتر وحيدرضا يزدان پناه