طراحي و بهينه سازي فوتوديود شكست بهمني با نيمه هادي هاي تركيبي

كارشناسي ارشد

در اين پايان نامه يك آشكارساز باياس شده در ناحيه شكست بهمني (SACM APD InGaAs/Si) براي آشكار سازي نور در طول موج 1550 نانومتر بر پايه نيمه هادي مركب InGaAs ارائه گرديده است. اين آشكارساز با ساختاري ساده، از حيث لايه ها طراحي و كميت هاي اصلي آشكار سازي آن همانند جريان تاريك، جريان تابش، بهره و پاسخ دهي ،بهينه شده است. وجه برتري و تمايز اين آشكار ساز نسبت به آشكار سازهاي مشابه دراين است كه ولتاژ باياس آن كمتراز مراجع معرفي شده مي باشد و كميت هاي آشكار سازي آن نيز، قابل رقابت با آنها مي باشد. اين ولتاژ باياس حداقل %41 از ديگر مراجع تطبيقي درشرايط مشابه كمتر است. در شاخص (0.9V_br)‌، جريان تابش μA 8.3 و جريان تاريك nA 4.9 ،عدد پاسخ دهيw^(-1)A9 و نسبت جريان تابش به جريان تاريك 1694 حاصل گشته است. در باياس 25 ولت جريان تابش μA 51 و جريان تاريك nA 21 نسبت به فوتوديود مشابه افزايش مي يابد. از اين آشكار ساز براي كاربري هاي خاصي مانند نجوم و اختر فيزيك ، صنايع نظامي، تصوير برداري پزشكي و ....كه نياز به جريان تاريك بسيار پايين دارند نيز، مي توان بهره برداري نمود.

196148

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر شهرام محمد نژاد

مهندسي برق الكترونيك (افراه هاي ميكرو و نانو الكترونيك)

دكتر محمد عظيم كرمي