طراحي و شبيه‌سازي نانوترانزيستورهاي تركيبي مبتني بر نانو نوارهاي گرافني و سيليسني

كارشناسي ارشد

در اين پايان نامه تاثير تغيير فاصله‌ي بين دو نانونوار گرافني در كانال BGNFET پيشنهادي مورد بررسي قرار گرفت. تغيير فاصله‌¬ي 2 آنگسترمي، نتايج جالبي براي شكاف انرژي، جريان خروجي و قابليت تحرك ايجاد كرد. محاسبات با استفاده از روش گسترش‌يافته هاكل (EH) نشان داد كه اثر متقابل وان در والسي بين دو لايه تا فاصله‌ي Å 4.5 بوده و بعد از اين فاصله، دولايه‌ي مستقل از هم وجود خواهد داشت. همچنين با افزايش فاصله دو لايه، جرم مؤثر حامل‌ها كاهش مي‌يابد (از مقدار me 237 به me 53) و مهم‌تر اينكه افزايش فاصله‌ي بين لايه‌ها در ساختار، باعث افزايش شكاف انرژي ازeV 1.1 به eV 1.85 مي‌شود و نهايتاً در فواصل كمتر از 3 آنگستروم بين دولايه، ساختار تغيير فاز داده و به رسانا تبديل مي‌شود. همچنين در مورد ساختار Bilayer-SiNRFET پيشنهادي، به دليل بزرگ بودن ابر الكتروني در سيليسن تغيير فاز به رسانا در فواصل بيشتر رخ مي‌دهد (Å 4). همچنين براي استقلال دو نانونوار سيليسني در اين ساختار، بايد فاصله را تقريباً بيشتر از6.5 آنگستروم در نظر گرفت. نتيجه كلي اينكه مي-توان از روش به كار برده شده در اين پايان نامه -تغيير فاصله ي بين دو لايه(spacing) در ساختارهاي مبتني بر مواد دوبعدي- به عنوان روشي براي تغيير ويژگي هاي الكترونيكي اين نوع ساختارها استفاده كرد. تغيير شكاف انرژي (59 درصد) و تغيير فاز از نيمه رسانا به رسانا با كم شدن فاصله ي بين دو نانونوار گرافني و سيليسني در ساختارهاي پيشنهادي، از مهمترين نتايج حاصل اين پايان نامه مي باشند.

195296

دانشگاه علم و صنعت ايران

افزاره هاي ميكرو و نانوالكترونيك

دكتر شهرام محمدنژاد