رابطه پاشندگي و نرخ رشد در ليزر الكترون آزاد چرنكوف باكانال يوني و ميدان مغناطيسي

كارشناسي ارشد

در اين تحقيق رابطه پاشندگي ليزر الكترون آزاد چرنكوف با دو ابزار راهنماي كانال يوني و ميدان مغناطيسي در حضور خود- ميدان هاي الكتريكي و مغناطيسي بصورت تحليلي محاسبه مي¬شود. از اين دو ابزار راهنما هم بصورت تنها و هم بصورت همزمان استفاده مي¬گردد. نشان مي¬دهيم در شرايطي كه از كانال يوني و ميدان مغناطيسي محوري، به تنهايي استفاده مي¬شود، نرخ رشد با افزايش فركانس كانال يوني و فركانس سيكلوترون افزايش مي¬يابد، همچنين مشاهده شد وقتي از ميدان مغناطيسي محوري وارون به تنهايي استفاده شد نرخ رشد با ميدان مغناطيسي كوچك تري افزايش يافت. و در شرايطي كه از كانال يوني و ميدان مغناطيسي محوري، همزمان در طراحي يك ليزر الكترون آزاد چرنكوف استفاده مي¬شود (يعني دو ابزار راهنما)، نرخ رشد مطلوبي رخ نمي¬دهد. همچنين نشان مي¬دهيم وقتي ميدان مغناطيسي عرضي راهنما (در راستاي عمود بر محور موجبر) به همراه كانال يوني اعمال مي¬شود، با وجود محدوديت هايي، شاهد نرخ رشد در اين نوع ليزر خواهيم بود.

192243

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر گلشاد خيري

فيزيك حالت جامد

دكتر مهدي اسماعيل زاده