عنوان
ملاحظات طراحي تقويت‌كننده توان پهن‌باند با استفاده از تكنيك تعقيب پوش در باياس درين و گيت در كلاس F معكوس با هدف بررسي بهبود بازدهي و خطينگي
نويسنده اصلي
احمد ماهان
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
چكيده
در اين پژوهش روش‌هاي بهبود بازدهي و خطينگي براي سيگنال‌هاي با PAPR بالا معرفي شده‌است، سپس تكنيك تعقيب پوش براي بهبود بازدهي در طراحي تقويت‌كننده توان انتخاب شد. در تقويت‌كننده تعقيب پوش زماني كه سطح توان ورودي كاهش پيدا مي‌كند، متناسب با آن با كاهش ولتاژ درين بازدهي افزايش داده مي‌شود و خطينگي تقويت‌كننده به تدريج كاهش مي‌يابد. در ادامه جهت حفظ خطينگي كه در اثر تعقيب پوش از دست ميرود. براي بهبود خطينگي روشي ارائه شده‌است كه تا در زمان افزايش بازدهي تقويت‌كننده با تكنيك تعقيب پوش خطينگي را تا حد امكان حفظ كند. در اينجا با روش تغيير ولتاژ گيت برحسب توان ورودي مي‌توان خطينگي را نيز بهبود داد.
در اينجا تقويت‌كننده توان در كلاس F-1 و با درنظر گرفتن 2 هارمونيك طراحي شده‌است؛ سپس مدار تطبيق پهن باندي با استفاده از روش SRFT براي خروجي و ورودي ترانزيستور براي رسيدن به پهناي باند مناسب طراحي شده‌است.
تقويت‌كننده توان طراحي شده با استفاده از ترانزيستورAFT27S010N تكنولوژي LDMOS شركت NXP طراحي شده و داراي 38 درصد پهناي باند با فركانس مركزي MHz 1050 است. بازدهي تقويت‌كننده براي توان متوسط dBm 30 براي فركانس MHz 900 در حدود 65 درصد است. حداكثر توان خروجي تقويت‌كننده dBm 38-41 براي باند كاري MHz 850 -1250 است. تكنيك ارائه شده در اين پژوهش باعث بهبود ACPR در حدود dB 2 تا 3 با كاهش ناچيز بازدهي نسبت به تقويت‌كننده تعقيب پوش شده‌است.
شماره ركورد
191237
دانشگاه
دانشگاه علم و صنعت ايران
رشته تحصيلي
مخابرات - ميدان و امواج
استاد راهنما
دكتر مجيد طيراني