بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي Fe-X6 (X=Se,V,As) افزوده شده روي ساختار دو بعدي تنگستن دي سلنيد با استفاده از نظريه تابعي چگالي

كارشناسي ارشد

در اين پايان نامه با استفاده ازنظريه تابعي چگالي و با استفاده از كد محاسباتي Wien2k و با تقريب GGA خواص الكتروني و مغناطيسيFeX6(X=Se,V,As) روي ساختار دوبعدي افزوده شده به ورقه ي تنگستن دي سلنيد (WSe2) مورد بررسي قرار گرفته است . با استفاده از محاسبات اصول اوليه ، ما ساختار الكتروني وخواص مغناطيسي از گروه Fe-X6(X=Se, V, As) كه در تك لايه ي 4×4 از ماده دي كالكوژنيد تنگستن دي سلنيد تركيب شده است را بدست آورده ايم به طوريكه يك اتم W با يك اتم Fe جايگزين شده است و اتم هاي Se نزديك آن نيز توسط اتمهاي شش گانه ي سلنيوم Se، واناديم V و آرسنيك As جايگزين شده اند. با حضور تك اتم آهن(Fe) و همچنين با جايگزيني Fe-Se6 نتيجه بر آن بوده است كه خواص نيمه رسانايي به خود بگيرند و همچنين Fe-V6 نيز منجر به داشتن رفتار نيمه فلزي شده اند و همچنين Fe-As6 دوپ شده روي تك لايه ي تنگستن دي سلنيد نيز خاصيت فلزي در حالت هاي پايدار خود را دارا هستند . ممان مغناطيسي هر كدام از سيستم ها در حالت فرومغناطيس 1.99974,4.00052,-1.96456 µB نيز به ترتيب براي X=Se,V,As به دست آورده شده است كه تفاوت مولفه هاي الكتروني و مغناطيسي گرفته شده براي ساختار نيز از هيبريدازيسيون بين X واتمهايFe/W نشات گرفته است . نتايجي كه ما بدست آورديم حاكي از آن است كه گروهاي دوپ شده مي توانند استراتژي كافي براي كاوش نيمه رساناهاي مغناطيسي دو بعدي (2-D ) را داشته باشد . واژه‌هاي كليدي: نظريه تابعي چگالي- نانوشيت WSe2- الكتروني-مغناطيسي-DFT-نانوديسك

190887

دانشگاه علم و صنعت ايران

فيزيك حالت جامد

دكتر امير حسين احمد خان كرد بچه