عنوان
بررسي خواص ترابرد الكتروني MoS2 توسط روش تابعي چگالي
نويسنده اصلي
بهنود ديانت
مقطع تحصيلي
كارشناسي ارشد
چكيده
درچندين دهه اخير با رشد علم نانو و تلاش براي تركيب مواد مغناطيسي و نيمه‌رسانا، به بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي نيمه‌فلزات پرداخته شده است، با كوچكتر شدن لوازم الكترونيكي نياز براي ساخت قطعات كوچكتر با بازدهي بالاتر و مصرف كمتر بيشتر مي شود.
به همين دليل ساخت مواد در ابعاد نانو و تغيير خواص آن ها بر حسب نياز مورد اهميت خاصي قرار دارد.
در دهه اخير، توجه دانشمندان از ميان تمامي اين مواد به مواد دو بعدي از جمله گرافن جلب شده است، اما يكي از مشكالات بزرگ اين ماده نداشتن گاف انرژي مي باشد، به همين علت پژوهش ها به سمت MoS2 روي آوردند كه در حالت دو بعدي داراي گاف انرژي مستقيم مي باشد.
دراين پايان‌نامه با استفاده از نظريه تابعي چگالي DFT و با استفاده از كد محاسباتي SIESTA/TRANSIESTA و با تقريب GGA، خواص الكتريكي و مغناطيسي موليبدن دي سولفايد مورد بررسي قرار گرفته است.
دو ساختار با اتم هاي مختلف در لبه بررسي شده، خواص الكتريكي و مغناطيسي آنها مورد بحث قرار گرفته در نهايت ويژگي هاي ترابردي آن ها بررسي شده است.
شماره ركورد
189878
دانشگاه
دانشگاه علم و صنعت ايران
استاد مشاور
دكتراميرحسين احمد خان كردبچه
رشته تحصيلي
حالت جامد
استاد راهنما
دكتر مهدي افشار ارجمند