بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي نانو نوار سيليسين در حضور اتم هاي خارجي

كارشناسي ارشد

در اين پايان نامه با استفاده ازنظريه تابعي چگالي و با استفاده از كد محاسباتي Quantum Espresso و با تقريب GGA خواص الكتروني و مغناطيسي نانونوار زيگزاگ سيليسين (ZSiNR) در دو حالت مورد بررسي قرار گرفت. در بخش اول لبه نانو نوار زيگزاگ را توسط نيتروژن عاملدار كرديم. و با تغيير درصد و مكان نيتروژن، به بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي در سه حالت مختلف پرداختيم. در بخش دوم به مطالعه اثرات جذب مس روي خواص الكتروني و مغناطيسي نانو نوار زيگزاگ پرداختيم. در ابتدا پايدارترين مكان جذب اتم مس روي ZSiNR در طول عرض ان بدست امد. پايدارترين مكان براي جذب مس در مركز هگزاگونال نزديك لبه مي باشد. به منظور بررسي خواص مغناطيسي، محاسبات قطبش اسپيني را انجام داديم. نتايج نشان مي دهدكه سطح انرژي حالت فرومغناطيس در مقايسه با حالت غيرمغناطسي پائين تر مي باشد. در نتيجه حالت فرو مغناطيس از پايداري بيشتري برخوردار است. سپس مسير پخش ممكن ميان دو نقطه از شبكه كه از پايداري بيشتري برخوردار است، مورد بررسي قرار گرفت. محاسبات با استفاده از تئوري NEB انجام گرفت. تحليل مسير پخش نشان مي دهد كه اتم مس براي رفتن به پايدارترين نقطه مجبور به غلبه بر يك مانع انرژي 0.06eV است. در اخر به منظور بررسي پايداري ساختار، به محاسبه انرژي چسبندگي نانو نوار در حضور مس پرداختيم. واژه‌هاي كليدي: نظريه تابعي چگالي- نانو نوار زيگزاگ سيليسين- الكتروني-مغناطيسي

189331

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر مهدي افشار

حالت جامد

دكتر امير حسين احمد خان كردبچه