محاسبه رسانش الكتريكي اسپيني نانو نوار گرافين درحضور ناخالصي مغناطيسي به روش تابع گرين بازگشتي

كارشناسي ارشد

چكيده تاكنون گرافين با ويژگي هاي منحصر بفردي كه دارد كاربردي ترين ماده شناخته شده براي آينده صنعت الكترونيك مي باشد. از جمله خواص مهم گرافين، رسانايي الكتريكي، خواص مغناطيسي و اسپين ترونيكي آن است. خواص مغناطيسي و اسپين ترونيكي كه گرافين دارد، زمينه استفاده عملي آنرا در اسپين ترونيك فراهم نموده است. بررسي ويژگيهاي جريانهاي اسپيني و غير اسپيني در برخورد با ناخالصي مغناطيسي در اسپين ترونيك از نظر تجربي و نظري بسيار مهم است. روش تابع گرين بازگشتي به دليل كاهش حجم محاسبات رايانه اي و انعطاف پذير بودن آن با توجه به شرايط مساله در سامانه هاي كوانتومي و حل معادله شرودينگر و بدست آوردن ويژگي هاي مهم ضريب عبور، چگالي حالات و رسانش بسيار مورد استفاده قرار ميگيرد. در اين پژوهش با استفاده از تابع گرين بازگشتي و تقريب بستگي قوي و رابطه لاندائر، رسانش اسپيني يك نانو نوار گرافين دسته مبلي در حضور چند ناخالصي مغناطيسي محاسبه شده است. مشاهده مي شود كه رسانش اسپيني يك نانو نوار گرافين دسته مبلي در حضور ناخالصي مغناطيسي، متصل به دو الكترود كامل نيم بينهايت، وابسته به انرژي جهش الكترون با حالتهاي اسپيني مختلف در برهمكنش با ناخالصي مغناطيسي و انرژي ورودي الكترون و درصد ناخالصي مغناطيسي است. واژه‌هاي كليدي: گرافين، تابع گرين بازگشتي، اسپين ترونيك، ناخالصي مغناطيسي، رسانش اسپيني

184015

دانشگاه علم و صنعت ايران

دكتر شمس الدين ميردامادي

فيزيك گرايش حالت جامد

دكترافشين نميرانيان